中国LED展提升为第一届中国电子信息博览会旗下专业展

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在向列畴的交界处（畴界），提升由于互相垂直的向列畴的交叠，其向列性也被破坏。因此，为第畴界提供了一个研究电子特殊拓扑性质的全新平台。

研究人员在费米能级处观察到拓扑边缘态，届业展其表现为：在畴界两侧空间上形成两个清晰的条状电子态。【图文导读】图一FeSe畴界内向列性的抑制（a）STO衬底上生长的~20UCFeSe薄膜的原子分辨STM形貌图，信息下专由于FeSe薄膜内具有很强的向列性使得Se原子沿着Se-Se晶格对角线方向被明显拉长（b）孪晶畴中的被拉长的Se原子以及畴边界上未被拉长的Se原子图二~20UCFeSe/STO的向列性畴界（a，信息下专b）向列畴界的电子态密度空间分布图。对于大部分铁基超导体，博览载流子掺杂可抑制向列相，从而产生超导电性。

受限于样品制备和精密测量等方面，中国D展中国关于畴界上的向列性的抑制及拓扑电子态的研究尚未报道。如图中橙色虚线所示，提升交叉点均有四个畴界穿过图三~20UCFeSe/STO畴界的边缘态以及电子结构（a）畴界的三维STM形貌图（b、提升c）沿着（a）中的虚线给出空间分辨的大能量范围的dI/dV谱，可以看到，特征峰在畴界区域向上移动了~35meV（d、e）沿着（a）中的虚线给出空间分辨的小能量范围的dI/dV谱，其中，在0meV和-10meV出现两个清晰的峰（f、g）分别为-10meV和0meV处的电子态密度的空间分布。

文献连接：为第EdgestatesatnematicdomainwallsinFeSefilms（Nanoletters,2018,DOI:10.1021/acs.nanolett.8b03282）本文由材料人编辑部计算材料组杜成江编译供稿，为第材料牛整理编辑。

【引言】FeSe是一种能够实现超导增强、届业展拓扑非平庸边缘态及拓扑超导的新奇材料，载流子注入和晶格畸变是操纵其电子性质的两个主要因素。经查询发现，信息下专MicroLED相比于LCD可以实现更高的亮度、色彩饱和度、色彩还原力、响应速度等，而且是自发光，因此更省电。

10月17日消息，博览三星电子发布了一段视频，介绍了他们对于MicroLED的规划，并向用户展示了MicroLED的开发过程及其背后的工艺。据介绍，中国D展中国三星电子MicroLED中使用的LED元器件尺寸小于50μm，仅为一般100型高分辨率B2B产品中LED器件的10%。

此外，提升MicroLED中使用的RGB器件是无机材料，因此没有老化和烧屏问题，并且可以带来10万小时以上的稳定高亮度和画质。为顺应超大显示屏的市场趋势，为第该公司还计划将其产品阵容扩大到76英寸、89英寸、101英寸和114英寸等。